A Closed-form Charge-based Expression for Drain Current in Symmetric and Asymmetric Double Gate MOSFET
2006
Détails
Titre
A Closed-form Charge-based Expression for Drain Current in Symmetric and Asymmetric Double Gate MOSFET
Auteur(s)
Roy, A. S. ; Sallese, J.-M. ; Enz, C.
Publié dans
Solid-State Electronics
Volume
50
Numéro
4
Pages
687-693
Date
2006
Le document apparaît dans
Production scientifique et compétences > STI - Faculté des sciences et techniques de l'ingénieur > IEM - Institute of Electrical and Micro Engineering > EDLAB - Group of Electron Device Modeling and Technology
Production scientifique et compétences > STI - Faculté des sciences et techniques de l'ingénieur > IEM - Institute of Electrical and Micro Engineering > LSI2 - Laboratoire des systèmes intégrés (STI/IC)
Production scientifique et compétences > STI - Faculté des sciences et techniques de l'ingénieur > STI Archives > LEG1 - Laboratoire d'électronique générale 1
Publications validées par des pairs
Travail produit à l'EPFL
Articles de journaux
Publié
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Date de création de la notice
2007-05-16