A closed-form charge-based expression for drain current in symmetric and asymmetric double gate MOSFET
2005
Détails
Titre
A closed-form charge-based expression for drain current in symmetric and asymmetric double gate MOSFET
Auteur(s)
Roy, A. S. ; Enz, C. ; Sallese, J.-M.
Publié dans
35th European Solid-State Device Research Conference
Date
2005
Le document apparaît dans
Production scientifique et compétences > STI - Faculté des sciences et techniques de l'ingénieur > IEM - Institute of Electrical and Micro Engineering > EDLAB - Group of Electron Device Modeling and Technology
Production scientifique et compétences > STI - Faculté des sciences et techniques de l'ingénieur > IEM - Institute of Electrical and Micro Engineering > LSI2 - Laboratoire des systèmes intégrés (STI/IC)
Production scientifique et compétences > STI - Faculté des sciences et techniques de l'ingénieur > STI Archives > LEG1 - Laboratoire d'électronique générale 1
Publications validées par des pairs
Papiers de conférence
Travail produit à l'EPFL
Publié
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Date de création de la notice
2007-05-16