Window-type tunnel devices on YBa2Cu3O7-x thin films
James, J.H; Dwir, B; Affronte, M; Munzner, A; Naucler, T; Kellet, B.J; Pavuna, D
1991

Résumé

The authors present the first YBa2Cu3O7-x-Pb tunnelling measurements using window-type tunnel devices. YBa2Cu3O7-x (YBCO) thin films are grown in-situ by dual Ar+ ion beam sputtering. Tunnel barriers are formed on a chemically etched YBCO surface. Tunnelling dV/dI(V) characteristics show reproducible weak gap-like structure 4.4±0.4 meV and 22±2 meV, the latter giving a 2Δ/kBTc value of about 6.5

Détails

Titre Window-type tunnel devices on YBa2Cu3O7-x thin films
Auteur(s) James, J.H ; Dwir, B ; Affronte, M ; Munzner, A ; Naucler, T ; Kellet, B.J ; Pavuna, D
Publié dans Superconductor Science & Technology
Volume 4
Numéro 1S
Pages S136-S138
Présenté à LT-19 Satellite Conference on High Temperature Superconductivity, Cambridge, UK, 13-15 Aug. 1990
Date 1991
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Laboratoires LPRX
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Publié
Date de création de la notice 2007-03-19

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