Bending of dislocations in GaN duing epitaxial lateral overgrowth
2004
Détails
Titre
Bending of dislocations in GaN duing epitaxial lateral overgrowth
Auteur(s)
Gradecak, S ; Stadelmann, P ; Wagner, V ; Ilegems, M
Publié dans
Applied Physics Letters
Volume
85
Numéro
20
Pages
4648-4650
Date
2004
Autres identifiant(s)
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DAR: 5962
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Laboratoires
CIME
Le document apparaît dans
Production scientifique et compétences > SB - Faculté des sciences de base > CIME - Centre interdisciplinaire de microscopie électronique
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Date de création de la notice
2007-02-15