Quantitative (200) dark-field imaging of InGaAs/GaAs layers : measurement of chemical composition and strain effects


Publié dans:
Inst. Phys. Conf. Ser., 169, 37-40
Année
2001
Autres identifiants:
Laboratoires:




 Notice créée le 2007-02-15, modifiée le 2018-12-03


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