Wedge TEM characterization of movpe GaInAs/InP layers, concentration grading at interfaces
1990
Détails
Titre
Wedge TEM characterization of movpe GaInAs/InP layers, concentration grading at interfaces
Auteur(s)
Spycher, R ; Stadelmann, PA ; Buffat, PA
Publié dans
Mat. Res. Soc. Symp. Proc.
Volume
198
Pages
135-140
Date
1990
Laboratoires
CIME
Le document apparaît dans
Production scientifique et compétences > SB - Faculté des sciences de base > CIME - Centre interdisciplinaire de microscopie électronique
Publications validées par des pairs
Travail produit à l'EPFL
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Date de création de la notice
2007-02-15