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2005
Nouveaux oxydes à forte permittivité dans l'intégration des semi-conducteurs
Ta2O5 and HfO2 as ion-sensitive materials in ISFETs
conference paper
Type
conference paper
Author(s)
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Mondin, G.
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Jenny, S.
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Jeanneret, S.
•
Millon, C.
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Roussel, H.
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Dubourdieu, C.
•
Date Issued
2005
Journal
Nouveaux oxydes à forte permittivité dans l'intégration des semi-conducteurs
Start page
183
End page
188
Peer reviewed
NON-REVIEWED
Written at
OTHER
EPFL units
Available on Infoscience
May 12, 2009
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