The investigation of in situ removal of Si substrates for freestanding GaN crystals by HVPE
2018
Détails
Titre
The investigation of in situ removal of Si substrates for freestanding GaN crystals by HVPE
Auteur(s)
Lee, M ; Mikulik, D ; Park, S
Publié dans
RSC ADVANCES
Volume
8
Numéro
22
Pages
12310-12314
Date
2018
Autres identifiant(s)
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Laboratoires
LMSC
Le document apparaît dans
Production scientifique et compétences > STI - Faculté des sciences et techniques de l'ingénieur > IMX - Institut des matériaux > LMSC - Laboratoire des matériaux semiconducteurs
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Travail produit à l'EPFL
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Date de création de la notice
2018-11-08